Micron делает флэш-память с последовательным интерфейсом быстрее и дешевле

Известно, что флэш-память типа NAND дешевле, чем флэш-память типа NOR. Однако, в некоторых случаях воспользоваться этим преимуществом не удается. К примеру, до недавнего времени разработчики встраиваемой электроники, используя в своих проектах флэш-память с последовательным интерфейсом, могли избирать только среди компонентов типа NOR.

Выпуском новой линии продуктов фирма Micron Technology изменила ситуацию. Микросхемы флэш-памяти типа NAND плотностью 1 Гбит, пополнившие ассортимент компании, оснащены последовательным интерфейсом.

Они дешевле аналогичных изделий, в которых применяется память типа NOR, и открывают перед конструкторами простой и экономичный метод наращивания объема встроенной памяти.

По оценке самой компании, новая память имеет самый оптимальный показатель удельной стоимости в расчет на единицу объема среди продуктов своего класса, представленных на рынке. Увеличения объема встроенной памяти требует увеличения популярности приложений, связанных с хранением и обработкой больших объемов данных.

Ушли в прошлое времена, когда устройства с поддержкой беспроводного подключения, абонентские приставки, принтеры и другие устройства бытовой, промышленной и автомобильной электроники обходились минимальной функциональностью.

В настоящее время> они работают под управлением более сложных операционных систем и поддерживают мультимедийные функции, что требует большего объема памяти.

Важным достоинством новой памяти производитель называет совместимость с памятью, имеющей параллельный интерфейс, на уровне корпусов, что упрощает перевод разработок с одного типа памяти на иной.

Сегодня доступны ознакомительные образы микросхем плотностью 1 Гбит. Серийные поставки должны начаться в первом квартале будущего года.

В начале года Micron, кроме того, обещает представить аналогичные микросхемы плотностью 4 Гбит.