Core i7 и оплошность TLB: кому доверять ?
Многие постоянные наши читатели знакомы с сайтом Fudzilla - информационным ресурсом с богатой новостной лентой и свежими обзорами всяческих IT-новинок.
Не всегда новости, предоставляемые Fudzill-ой объективны, но довольно часто им удаётся вызвать определённый социальный резонанс. Все вы помните, как пагубно повлияла на продажи процессоров AMD Phenom X4 ошибка TLB, исправленная только в CPU со степпингом B3.
Так вот Fudzilla утверждает, что недавно анонсированные Core i7 также содержат тот самый "баг". Документ компании Intel, который можно посмотреть здесь и сделать выводы, что процессоры Core i7 содержат критическую ошибку.
Учитывая популярность портала Fudzilla, новость об ошибке TLB продублировалась на многих "железных" сайтах.
Чтобы дальше не играть в испорченный телефон, фирма Intel прокомментировала скандальную новость следующим образом: все ошибки, связанные с буфером TLB компанией Intel давно исправлены ещё в период выхода Core 2 Duo.
Если и были какие-то ошибки при разработке Core i7, что, в общем-то, неизбежно при появлении новых CPU, то они были аннулированы обновлением микрокода задолго до официального запуска Core i7. Ещё окончательно неясно, кто прав на 100%, но ясно следующее: сайт Fudzilla заработал море дополнительных посещений, что в свою очередь сделает портал ещё больше популярным.
Но вот нужна ли такая известность, близкая по родству к "жёлтой прессе"?
Источник: Fudzilla
С технологией Х4 SanDisk будет творить флэш-накопители ёмкостью 64 ГБ
SanDisk на конференции International Solid State Circuits Conference (ISSCC), проходящей в Сан-Франциско, сообщила о том, что ею начато массовое производство 43-нм чипов флэш-памяти, которые позволят создавать накопители формата Secure Digital (SD) ёмкостью 64 ГБ.
Достичь высокой ёмкости SanDisk планирует за счет применения технологии Х4, которая подразумевает ячейки, умеющие сохранять не один или два бита, а сразу четыре. X4, напомним, является технологией с непростой историей.
Она была получена SanDisk при приобретении M-Systems в далеком 2006 году.
Чуток позже на нее претендовала Samsung из-за заключенного перед продажей соглашения, а позднее и Hynix захотела получить доступ к ней в обмен на лицензионные платежи.
В настоящее время применять технологию Х4, полученную от M-Systems, SanDisk будет совместно с Toshiba. Помимо, собственно, 64-Гбит чипа памяти, обеспечивающего хранение 8 ГБ данных, основой новых накопителей будет производительный контроллер собственной разработки SanDisk.
По данным SanDisk, представленным на ISSCC, скорость работы памяти Х4 будет достигать> 7,8 МБ с. На рынке накопители на этой памяти появятся в первой половине этого года. Кроме Х4, SanDisk представила 32-нм память X3, хранящую, сообразно, три бита данных в одной ячейке.
Ею планируется использовать для производства карт microSD, ёмкость которых будет достигать 16 ГБ, и устройств SSD.
"200 по встречной": в новой спецификации скор памяти NAND увеличена до 200 МБ с
Организация Open NAND Flash Interface (ONFI) Working Group, занимающаяся вопросами «упрощения интеграции флэш-памяти типа NAND в устройства потребительской электроники, компьютерные платформы и промышленные системы», объявила о выходе спецификации ONFI 2.1. Она определяет интерфейс уровня микросхем и следует за ранее принятыми спецификациями ONFI 1.0 и ONFI 2.0.
Спецификация предлагает упрощенную схему контроллера и выводит производительность флэш-памяти на новый порядок - до 200 МБ с. В перспективе, ONFI уже анонсировала разработку следующей версии спецификации, ONFI 3.0, в которой будет стандартизована максимальная скорость 400 МБ с.
Быстродействующая память NAND востребована в твердотельных накопителях, в особенности в тех из них, которые рассчитаны на подключение к высокоскоростным интерфейсам - Serial ATA 6 Гбит с, USB 3.0 и PCI Express Gen2. Новая спецификация сохраняет совместимость с ONFI 2.0, ONFI 1.0 и ранее принятыми нормами в области интерфейсов NAND.
Важным усовершенствованием, закрепленным в спецификации, является улучшенное управление питанием, позволяющее снизить энергопотребление устройств.