Toshiba готовит 25 нм флеш-память – грядет новое повышение емкости мобильных устройств

Toshiba готовит 25 нм флеш память грядет новое повышение емкости мобильных устройств Корпорация Toshiba заявила, что она находится на ранних стадиях подготовки к выпуску новых чипов NAND памяти, отвечающих нормам 25 нм техпроцесса. Подобная технология позволит со временем создавать более компактные модули флеш-памяти и другие компоненты, чем это допускает существующая 32 нм методика.

 

Toshiba NAND 64 Гб

При этом японский электронный гигант заявил Nikkei BP, что он планирует относительно быстро достигнуть стадии массового производства чипов NAND памяти по нормам 25 нм техпроцесса. Кроме того, к 2012 году Toshiba намерена перейти на еще более “тонкие” технологические нормы, допускающие создание продуктов с очень высокой плотностью.

Вероятнее всего, новая 25 нм флеш-память первоначально будет применяться в фирменных решениях Toshiba. Кроме того, японская компания является вторым (вслед за Samsung) мировым производителем флеш-памяти и ключевым поставщиком модулей памяти для Apple iPhone и iPod. Напомним, в конце прошлого года Toshiba представила модули флеш-памяти емкостью 64 Гб, которые могут найти применение в следующем поколении iPhone и iPod touch. А переход на 25 нм техпроцесс может привести к созданию модулей памяти емкостью 128 Гб.

Источник: Electronista


RSS лента ВСЕГО блога с комментариями RSS лента ВСЕГО блога БЕЗ комментариев RSS лента этой КАТЕГОРИИ с комментариями RSS лента этой КАТЕГОРИИ и БЕЗ комментариев RSS лента ЭТОГО ПОСТА с комментариями к нему

Samsung первой объединяет в серийных микросхемах память типа DRAM и PRAM

Samsung первой объединяет в серийных микросхемах память типа DRAM и PRAM Читатели, интересующиеся судьбой перспективной памяти типа PRAM, помнят, что продвигающая эту разработку компания Numonyx зимой пообещала, что в первом квартале текущего года начнутся поставки чипов плотностью 1 Гбит. По всей видимости, освоение новой технологии идет не совсем гладко, поскольку в недавнем сообщении Numonyx отрапортовала лишь о начале серийного выпуска микросхем Numonyx Omneo PCM плотностью 128 Мбит. А ведь первые образцы этих изделий, изготавливаемых по нормам 90 нм, были готовы у компании еще в 2008 году. Складывается впечатление, что разработка буксует на месте.

Это впечатление обосновано. Проблема заключается в том, что разработчикам не удается повысить плотность памяти из-за ограничений, обусловленных самим устройством памяти типа PRAM. Таким образом, надежды на то, что память PCM заменит одновременно память NAND, NOR и DRAM, пока остаются надеждами. Если с памятью типа NOR конкурировать получается, то с DRAM пока нет.

По-своему подошли к решению проблемы в компании Samsung Electronics. Новый продукт, выпущенный южнокорейским электронным гигантом, объединяет лучшее из двух типов памяти в буквальном смысле: в одном корпусе упакованы кристаллы PRAM и DRAM. Многокристальная компоновка (multi-chip package, MCP) таких чипов применена впервые в отрасли. В конфигурацию изделия входит 512 Мбит памяти типа PRAM. Благодаря обратной совместимости MCP с NOR на программном и аппаратном уровне, упрощается работа разработчиков. Предполагается, что уже в текущем квартале эти микросхемы начнут применяться в сотовых телефонах. Активное вытеснение памятью PRAM флэш-памяти типа NOR в потребительской электронике начнется в будущем году, полагают в Samsung.

Источник: Samsung Electronics


RSS лента ВСЕГО блога с комментариями RSS лента ВСЕГО блога БЕЗ комментариев RSS лента этой КАТЕГОРИИ с комментариями RSS лента этой КАТЕГОРИИ и БЕЗ комментариев RSS лента ЭТОГО ПОСТА с комментариями к нему

Numonyx приступает к серийному выпуску памяти нового типа — Omneo PCM

Numonyx приступает к серийному выпуску памяти нового типа Omneo PCM На этой неделе компания Numonyx B.V., специализирующаяся на разработках в области энергонезависимой памяти, представила коммерческие продукты, в которых используется память нового типа. Речь идет о памяти с использованием эффекта изменения фазового состояния (phase-change memory, PCM).

Память типа PCM объединяет достоинства флэш-памяти, оперативной памяти с произвольным доступом и энергонезависимой памяти с электрическим стиранием (EEPROM). Ключевыми преимуществами новой памяти производитель называет высокое быстродействие и долговечность. По скорости записи она превосходит флэш-память в 300 раз, по количеству циклов записи — на порядок. Продукты, вошедшие в семейство Numonyx Omneo PCM, рассчитаны на применение в оборудовании проводной и беспроводной связи, бытовой электронике, персональных компьютерах и встраиваемых системах.

Одновременно представлены продукты двух серий. Микросхемы Omneo P5Q PCM объемом 128 Мбит в корпусе типа SOIC16 оснащены последовательным интерфейсом (serial peripheral interface, SPI). Микросхемы Omneo P8P PCM того же объема в корпусах типа TSOP и Numonyx Easy BGA оснащены параллельным интерфейсом. И те, и другие рассчитаны на выпуск по 90-нанометровой технологии и уже производятся серийно.

Источник: Numonyx


RSS лента ВСЕГО блога с комментариями RSS лента ВСЕГО блога БЕЗ комментариев RSS лента этой КАТЕГОРИИ с комментариями RSS лента этой КАТЕГОРИИ и БЕЗ комментариев RSS лента ЭТОГО ПОСТА с комментариями к нему

Прыг: 01 02 03 04 05 06 07 08 09 10
Скок: 10
сентябрь, 2010
пн вт ср чт пт сб вс
    1 2 3 4 5
6 7 8 9 10 11 12
13 14 15 16 17 18 19
20 21 22 23 24 25 26
27 28 29 30