Читатели, интересующиеся судьбой перспективной памяти типа PRAM, помнят, что продвигающая эту разработку компания Numonyx зимой пообещала, что в первом квартале текущего года начнутся поставки чипов плотностью 1 Гбит. По всей видимости, освоение новой технологии идет не совсем гладко, поскольку в недавнем сообщении Numonyx отрапортовала лишь о начале серийного выпуска микросхем Numonyx Omneo PCM плотностью 128 Мбит. А ведь первые образцы этих изделий, изготавливаемых по нормам 90 нм, были готовы у компании еще в 2008 году. Складывается впечатление, что разработка буксует на месте.

Это впечатление обосновано. Проблема заключается в том, что разработчикам не удается повысить плотность памяти из-за ограничений, обусловленных самим устройством памяти типа PRAM. Таким образом, надежды на то, что память PCM заменит одновременно память NAND, NOR и DRAM, пока остаются надеждами. Если с памятью типа NOR конкурировать получается, то с DRAM пока нет.

По-своему подошли к решению проблемы в компании Samsung Electronics. Новый продукт, выпущенный южнокорейским электронным гигантом, объединяет лучшее из двух типов памяти в буквальном смысле: в одном корпусе упакованы кристаллы PRAM и DRAM. Многокристальная компоновка (multi-chip package, MCP) таких чипов применена впервые в отрасли. В конфигурацию изделия входит 512 Мбит памяти типа PRAM. Благодаря обратной совместимости MCP с NOR на программном и аппаратном уровне, упрощается работа разработчиков. Предполагается, что уже в текущем квартале эти микросхемы начнут применяться в сотовых телефонах. Активное вытеснение памятью PRAM флэш-памяти типа NOR в потребительской электронике начнется в будущем году, полагают в Samsung.

Источник: Samsung Electronics

На этой неделе компания Numonyx B.V., специализирующаяся на разработках в области энергонезависимой памяти, представила коммерческие продукты, в которых используется память нового типа. Речь идет о памяти с использованием эффекта изменения фазового состояния (phase-change memory, PCM).

Память типа PCM объединяет достоинства флэш-памяти, оперативной памяти с произвольным доступом и энергонезависимой памяти с электрическим стиранием (EEPROM). Ключевыми преимуществами новой памяти производитель называет высокое быстродействие и долговечность. По скорости записи она превосходит флэш-память в 300 раз, по количеству циклов записи — на порядок. Продукты, вошедшие в семейство Numonyx Omneo PCM, рассчитаны на применение в оборудовании проводной и беспроводной связи, бытовой электронике, персональных компьютерах и встраиваемых системах.

Одновременно представлены продукты двух серий. Микросхемы Omneo P5Q PCM объемом 128 Мбит в корпусе типа SOIC16 оснащены последовательным интерфейсом (serial peripheral interface, SPI). Микросхемы Omneo P8P PCM того же объема в корпусах типа TSOP и Numonyx Easy BGA оснащены параллельным интерфейсом. И те, и другие рассчитаны на выпуск по 90-нанометровой технологии и уже производятся серийно.

Источник: Numonyx

Ассортимент компании ATP Electronics пополнился не совсем привычным USB-накопителем. Точнее говоря, сразу четырьмя накопителями — AF512SSGL, AF1GSSGL, AF2GSSGL и AF4GSSGL, различающимися объемом (512 МБ, 1, 2 и 4 ГБ соответственно). Непривычным является способ подключения — устройство рассчитано на подключение к 10-штырьковому разъему на системной плате.

Среди особенностей «флэшки» производитель отмечает использование флэш-памяти типа SLC (Single-Level Cell) NAND, обеспечивающей скорость передачи до 30 МБ/с и большую долговечность, и технологии компоновки SIP (System In Package), благодаря которой повышается надежность устройства и его устойчивость к внешним воздействиям. В результате накопитель получился хорошо защищенным от механических нагрузок (деформации, ударов и вибрации), электростатических разрядов, влажности и пыли. Он сохраняет работоспособность в расширенном диапазоне температур — от -40°C до +85°C. Кстати, технология SIP применяется и в других USB-накопителях, например, в ярких миниатюрных устройствах производства Verbatim, выпущенных в январе этого года.

Линейные размеры новинки соответствуют членам выражения 28,2 x 15,3 x 6,2 мм. Основной областью применения накопителя, по замыслу производителя, должны стать встраиваемые системы промышленной электроники.

Источник: ATP Electronics