Micron делает флэш-память с последовательным интерфейсом быстрее и дешевле
Известно, что флэш-память типа NAND дешевле, чем флэш-память типа NOR. Однако, в некоторых случаях воспользоваться этим преимуществом не удается. К примеру, до недавнего времени разработчики встраиваемой электроники, используя в своих проектах флэш-память с последовательным интерфейсом, могли избирать только среди компонентов типа NOR.
Выпуском новой линии продуктов фирма Micron Technology изменила ситуацию. Микросхемы флэш-памяти типа NAND плотностью 1 Гбит, пополнившие ассортимент компании, оснащены последовательным интерфейсом.
Они дешевле аналогичных изделий, в которых применяется память типа NOR, и открывают перед конструкторами простой и экономичный метод наращивания объема встроенной памяти.
По оценке самой компании, новая память имеет самый оптимальный показатель удельной стоимости в расчет на единицу объема среди продуктов своего класса, представленных на рынке. Увеличения объема встроенной памяти требует увеличения популярности приложений, связанных с хранением и обработкой больших объемов данных.
Ушли в прошлое времена, когда устройства с поддержкой беспроводного подключения, абонентские приставки, принтеры и другие устройства бытовой, промышленной и автомобильной электроники обходились минимальной функциональностью.
В настоящее время> они работают под управлением более сложных операционных систем и поддерживают мультимедийные функции, что требует большего объема памяти.
Важным достоинством новой памяти производитель называет совместимость с памятью, имеющей параллельный интерфейс, на уровне корпусов, что упрощает перевод разработок с одного типа памяти на иной.
Сегодня доступны ознакомительные образы микросхем плотностью 1 Гбит. Серийные поставки должны начаться в первом квартале будущего года.
В начале года Micron, кроме того, обещает представить аналогичные микросхемы плотностью 4 Гбит.
Первые тесты процессора Intel Core i5
Началось тестирование процессора Intel Core i5 BlackCat. На китайском сайте Hardspell опубликованы результаты тестов процессора Lynnfield, построенного на базе той же архитектуры, что и Nehalem, но ориентированного на массовый сегмент (до 200 долларов). Сообщается, что на рынок такие CPU выйдут под маркетинговым именем Core i5 (именно так чип идентифицирует популярная тестовая программа CPU-Z). Напомним, что Lynnfield будут выполнены в форм-факторе LGA1160 (Nehalem имеет разъём LGA1366), контроллер памяти DDR3 будет двух- а не трёхканальным.
В тестах использовался инженерный стандарт четырёхъядерного Core i5, функционировавший на частоте 2,13 ГГц. Каждое из ядер оснащено 256 КБ кэш памяти L2, помимо того, имеется 8 МБ кэш-памяти L3. Тестовая организация включала в себя память DDR3-1066, графический ускоритель NVIDIA Quadro NVS 290, жёсткий диск Seagate ST 7200.2, Windows Vista Ultimate 64-bit.
Таким образом, сравнить грядущий Core i5 со своей нынешней системой может всякий. Открытым остается вопрос, будет ли на рынке Core i6.
Совершенно вероятно, что под этим именем выйдут процессоры Havendale. Продолжение отличной RPG от Питера "Будет вам Fable 3, 4, 5" Мулинье.
"Инициатива" Rambus поднимет прыть памяти XDR 2 до 1 ТБ с
В рамках проекта ведутся исследования, направленные на то, чтобы заполучить беспрецедентную скорость работы памяти в 1 ТБ с, которую специалисты компании хотят обрести на участке SoC DRAM. Ожидается, что память с новыми характеристиками получит обозначение "XDR 2".
В целом, инициатива Terabyte Bandwidth Initiative направлена на приобретение более высоких скоростей работы памяти, которое в свою очередь, должны позволить поднять производительность каждой системы, основанной на многоядерных решениях.
На практике 32X Data Rate должно обозначать скорость передачи информации в 16 Гбит с.
Господин Ву отметил в своей речи на симпозиуме, что подход, применяемый его компанией в деле разработки быстрой памяти XDR 2 примечателен тем, что подходит для работы в условиях ограниченного числа контактов на системах SoC, а ещё подразумевает энергоэффективную работу памяти. Коммерциализация памяти Rambus XDR 2, как ожидается, будет проистекать в 2010 году.
Благодаря этой памяти и технологии с 32 линиями связи для данных DRAM-чип сможет достичь пропускной способности в 51,2 ГБ с. Это порядка 12,8 ГБ с данных при использовании только пары линий связи с дифференциальным сигналом. Частота такой памяти составит лишь 800 МГц.
Сообразно, для достижения скорости в 1 ТБ с понадобится 16 чипов поколения XDR 2.