Samsung первой объединяет в серийных микросхемах память типа DRAM и PRAM

Читатели, интересующиеся судьбой перспективной памяти типа PRAM, помнят, что продвигающая эту разработку компания Numonyx зимой пообещала, что в первом квартале текущего года начнутся поставки чипов плотностью 1 Гбит. По всей видимости, освоение новой технологии идет не совсем гладко, поскольку в недавнем сообщении Numonyx отрапортовала лишь о начале серийного выпуска микросхем Numonyx Omneo PCM плотностью 128 Мбит. А ведь первые образцы этих изделий, изготавливаемых по нормам 90 нм, были готовы у компании еще в 2008 году. Складывается впечатление, что разработка буксует на месте.

Это впечатление обосновано. Проблема заключается в том, что разработчикам не удается повысить плотность памяти из-за ограничений, обусловленных самим устройством памяти типа PRAM. Таким образом, надежды на то, что память PCM заменит одновременно память NAND, NOR и DRAM, пока остаются надеждами. Если с памятью типа NOR конкурировать получается, то с DRAM пока нет.

По-своему подошли к решению проблемы в компании Samsung Electronics. Новый продукт, выпущенный южнокорейским электронным гигантом, объединяет лучшее из двух типов памяти в буквальном смысле: в одном корпусе упакованы кристаллы PRAM и DRAM. Многокристальная компоновка (multi-chip package, MCP) таких чипов применена впервые в отрасли. В конфигурацию изделия входит 512 Мбит памяти типа PRAM. Благодаря обратной совместимости MCP с NOR на программном и аппаратном уровне, упрощается работа разработчиков. Предполагается, что уже в текущем квартале эти микросхемы начнут применяться в сотовых телефонах. Активное вытеснение памятью PRAM флэш-памяти типа NOR в потребительской электронике начнется в будущем году, полагают в Samsung.

Источник: Samsung Electronics