http://inmarketlink.biz/ Lasto Blogging Engine ru С Бобрышев admin@inmarketlink.biz admin@inmarketlink.biz http://inmarketlink.biz/i/lastoblog.png http://inmarketlink.biz/ http://inmarketlink.biz/post_1272540536.html <p><img src="http://inmarketlink.biz/i/p/1272540536.jpg" align="left" width="103" height="106" hspace="5" vspace="5" alt="Samsung первой объединяет в серийных микросхемах память типа DRAM и PRAM"> Читатели, интересующиеся судьбой перспективной памяти типа PRAM, помнят, что продвигающая эту разработку компания Numonyx зимой пообещала, что в первом квартале текущего года начнутся поставки чипов плотностью 1 Гбит. По всей видимости, освоение новой технологии идет не совсем гладко, поскольку в недавнем сообщении Numonyx отрапортовала лишь о начале серийного выпуска микросхем Numonyx Omneo PCM плотностью 128 Мбит. А ведь первые образцы этих изделий, изготавливаемых по нормам 90 нм, были готовы у компании еще в 2008 году. Складывается впечатление, что разработка буксует на месте. <p>Это впечатление обосновано. Проблема заключается в том, что разработчикам не удается повысить плотность памяти из-за ограничений, обусловленных самим устройством памяти типа PRAM. Таким образом, надежды на то, что память PCM заменит одновременно память NAND, NOR и DRAM, пока остаются надеждами. Если с памятью типа NOR конкурировать получается, то с DRAM пока нет.</p> <center><img src="/img/107027575538073.jpg" border=0 width=450 height=338> </center> <p>По-своему подошли к решению проблемы в компании Samsung Electronics. Новый продукт, выпущенный южнокорейским электронным гигантом, объединяет лучшее из двух типов памяти в буквальном смысле: в одном корпусе упакованы кристаллы PRAM и DRAM. Многокристальная компоновка (multi-chip package, MCP) таких чипов применена впервые в отрасли. В конфигурацию изделия входит 512 Мбит памяти типа PRAM. Благодаря обратной совместимости MCP с NOR на программном и аппаратном уровне, упрощается работа разработчиков. Предполагается, что уже в текущем квартале эти микросхемы начнут применяться в сотовых телефонах. Активное вытеснение памятью PRAM флэш-памяти типа NOR в потребительской электронике начнется в будущем году, полагают в Samsung. <p>Источник: <a class=small href="http://www.samsung.com/global/business/semiconductor/newsView.do?news_id=1148" rel="nofollow">Samsung Electronics</p> <br> <div style="margin-left:10px;color:#575;font-weight:bold;"><a href="http://inmarketlink.biz/comment_1272540536.html">Оставить комментарий</a></div> Thu, 29 Apr 2010 15:28:56 GMT